三星成功研發超低功耗 NAND 快閃記憶體,功耗大減九成,為 AI 儲存帶來突破。這項 NAND 技術的突破,有望在資料中心市場搶佔先機,並應用於更多裝置。AI 時代愈演愈烈,誰能把「儲存」做得更快、更省電,誰就更有機會在資料中心市場站穩腳步。三星最近就在這塊丟出一個重量級突破:自家研究團隊成功打造全新的 NAND 快閃記憶體結構,號稱能讓功耗大減超過九成,最高甚至達 96%。 這項成果由三星先進技術研究院(SAIT)領軍,研究也已登上國際頂尖期刊《Nature》。 省電關鍵在材料結構組合:把弱點變優勢 傳統 NAND 快閃記憶體是非揮發性儲存介質,靠往儲存單元注入電子來寫入資料。這套方法隨著記憶體層數越疊越多,能耗自然跟著水漲船高,尤其在大型 AI 資料中心,耗電更是沉重問題。 三星的解法,是把原本被視為「難控制」的氧化物半導體,與具有自持極化特性的鐵電材料重新整合。鐵電材料的特性讓記憶狀態不必一直供電就能維持,等於從最底層降低能耗來源。 官方表示,這套新架構已在實驗中證實能讓功耗大幅下降,並強調是三星內部團隊完全自主研發,共有 34 名研究人員參與。 AI 儲存戰開打:三星要搶下一波商機 三星 SAIT 研究員、也是論文第一作者的 Yoo Si-jeong 表示,他們已證明超低功耗 NAND 的可行性,下一步會把目標放在推進商用化。 在 AI 需求持續飆升、資料中心能源吃緊的情況下,能降低儲存裝置功耗的技術自然更受青睞。若最終能量產,這項技術未來可能不只用在伺服器,也會應用在智慧型手機、行動裝置等對續航敏感的產品上。 搭配記憶體漲價潮,三星加速調整產品策略 另一方面,三星近期也持續調整記憶體事業方向。隨著 DDR5、LPDDR5X 和 GDDR7 等產品需求增加、價格走升,公司將把重心放在高附加價值 DRAM,以提升整體獲利結構。 換句話說,在目前記憶體市場回溫的時機點,三星選擇同時端出「技術突破」與「產品策略調整」兩條線並行,意味著下一輪競爭可能會更激烈。   延伸閱讀:特斯拉車隊變身AI資料中心?馬斯克再提分散式運算新概念 延伸閱讀:微軟執行長納德拉坦言:AI 不缺晶片,缺的是電!資料中心電力吃緊成新瓶頸 延伸閱讀:AI 伺服器把硬碟搶光了!傳統 HDD 交期拉長到兩年,資料中心改買大容量 SSD、QLC 快閃記憶體救急  加入T客邦Facebook粉絲團三星成功研發超低功耗 NAND 快閃記憶體,功耗大減九成,為 AI 儲存帶來突破。這項 NAND 技術的突破,有望在資料中心市場搶佔先機,並應用於更多裝置。AI 時代愈演愈烈,誰能把「儲存」做得更快、更省電,誰就更有機會在資料中心市場站穩腳步。三星最近就在這塊丟出一個重量級突破:自家研究團隊成功打造全新的 NAND 快閃記憶體結構,號稱能讓功耗大減超過九成,最高甚至達 96%。 這項成果由三星先進技術研究院(SAIT)領軍,研究也已登上國際頂尖期刊《Nature》。 省電關鍵在材料結構組合:把弱點變優勢 傳統 NAND 快閃記憶體是非揮發性儲存介質,靠往儲存單元注入電子來寫入資料。這套方法隨著記憶體層數越疊越多,能耗自然跟著水漲船高,尤其在大型 AI 資料中心,耗電更是沉重問題。 三星的解法,是把原本被視為「難控制」的氧化物半導體,與具有自持極化特性的鐵電材料重新整合。鐵電材料的特性讓記憶狀態不必一直供電就能維持,等於從最底層降低能耗來源。 官方表示,這套新架構已在實驗中證實能讓功耗大幅下降,並強調是三星內部團隊完全自主研發,共有 34 名研究人員參與。 AI 儲存戰開打:三星要搶下一波商機 三星 SAIT 研究員、也是論文第一作者的 Yoo Si-jeong 表示,他們已證明超低功耗 NAND 的可行性,下一步會把目標放在推進商用化。 在 AI 需求持續飆升、資料中心能源吃緊的情況下,能降低儲存裝置功耗的技術自然更受青睞。若最終能量產,這項技術未來可能不只用在伺服器,也會應用在智慧型手機、行動裝置等對續航敏感的產品上。 搭配記憶體漲價潮,三星加速調整產品策略 另一方面,三星近期也持續調整記憶體事業方向。隨著 DDR5、LPDDR5X 和 GDDR7 等產品需求增加、價格走升,公司將把重心放在高附加價值 DRAM,以提升整體獲利結構。 換句話說,在目前記憶體市場回溫的時機點,三星選擇同時端出「技術突破」與「產品策略調整」兩條線並行,意味著下一輪競爭可能會更激烈。   延伸閱讀:特斯拉車隊變身AI資料中心?馬斯克再提分散式運算新概念 延伸閱讀:微軟執行長納德拉坦言:AI 不缺晶片,缺的是電!資料中心電力吃緊成新瓶頸 延伸閱讀:AI 伺服器把硬碟搶光了!傳統 HDD 交期拉長到兩年,資料中心改買大容量 SSD、QLC 快閃記憶體救急  加入T客邦Facebook粉絲團

三星秀超省電NAND快閃記憶體!功耗狂降96% AI資料中心救星來了

2025/12/03 10:30
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AI 時代愈演愈烈,誰能把「儲存」做得更快、更省電,誰就更有機會在資料中心市場站穩腳步。三星最近就在這塊丟出一個重量級突破:自家研究團隊成功打造全新的 NAND 快閃記憶體結構,號稱能讓功耗大減超過九成,最高甚至達 96%

這項成果由三星先進技術研究院(SAIT)領軍,研究也已登上國際頂尖期刊《Nature》。

省電關鍵在材料結構組合:把弱點變優勢

傳統 NAND 快閃記憶體是非揮發性儲存介質,靠往儲存單元注入電子來寫入資料。這套方法隨著記憶體層數越疊越多,能耗自然跟著水漲船高,尤其在大型 AI 資料中心,耗電更是沉重問題。

三星的解法,是把原本被視為「難控制」的氧化物半導體,與具有自持極化特性的鐵電材料重新整合。鐵電材料的特性讓記憶狀態不必一直供電就能維持,等於從最底層降低能耗來源。

官方表示,這套新架構已在實驗中證實能讓功耗大幅下降,並強調是三星內部團隊完全自主研發,共有 34 名研究人員參與。

AI 儲存戰開打:三星要搶下一波商機

三星 SAIT 研究員、也是論文第一作者的 Yoo Si-jeong 表示,他們已證明超低功耗 NAND 的可行性,下一步會把目標放在推進商用化。

在 AI 需求持續飆升、資料中心能源吃緊的情況下,能降低儲存裝置功耗的技術自然更受青睞。若最終能量產,這項技術未來可能不只用在伺服器,也會應用在智慧型手機、行動裝置等對續航敏感的產品上。

搭配記憶體漲價潮,三星加速調整產品策略

另一方面,三星近期也持續調整記憶體事業方向。隨著 DDR5、LPDDR5X 和 GDDR7 等產品需求增加、價格走升,公司將把重心放在高附加價值 DRAM,以提升整體獲利結構。

換句話說,在目前記憶體市場回溫的時機點,三星選擇同時端出「技術突破」與「產品策略調整」兩條線並行,意味著下一輪競爭可能會更激烈。

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  • 延伸閱讀:微軟執行長納德拉坦言:AI 不缺晶片,缺的是電!資料中心電力吃緊成新瓶頸
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