AI 浪潮引爆半導體供應鏈「蝴蝶效應」　旺宏完整Flash佈局迎戰新一輪超級循環

2025年，全球記憶體市場似正步入由多重力量交織而成的「超級循環」(Super Cycle)。表面上，市況強勁復甦似乎源於資料中心巨頭搶購高頻寬記憶體(HBM)，帶動DRAM與NAND供不應求及價格走揚，事實上，真正驅動翻轉的深層力量，是沿著半導體供應鏈迅速擴散的「排擠效應」。

旺宏電子市場行銷處處長林民正

旺宏電子(Macronix)市場行銷處處長林民正日前在專訪中指出，這是一場由AI引發的「蝴蝶效應」。AI晶片需求強勢，吸納了大部份產能，從晶圓製造、封測、載板到探針卡與材料供應，產能分配皆以AI為優先，非AI相關記憶體產品的生產、測試排程受到擠壓，甚至延至年底後才有望回復，導致市場出現集體缺貨與交期明顯拉長的連鎖反應。林民正強調，這並非單一產品造成的短期供需失衡，而是整個供應鏈資源重新分配所引發的排擠現象。

這一波浪潮不僅重塑DRAM與NAND市場，過去多年被認為逐步淡出的eMMC也在此時重新站上舞台中央。面對此重大的市場轉折，旺宏以其NOR、SLC NAND、3D NAND與eMMC全系列Flash產品為基礎，提供從Mb、Gb到GB的跨容量供應，協助客戶在面對高度波動的環境中「一次到位」找到切合需求的記憶體，成為AI時代供應鏈重整中的重要支柱。

AI記憶體朝雙軌發展：資料中心vs邊緣運算

林民正指出，AI帶動的記憶體需求正循著兩條明顯分化的軌跡前進。其一由資料中心的算力競賽驅動，無論是模型訓練或推論，都需要高頻寬與巨量儲存，帶動HBM與高容量SSD需求急遽上升。全球主要記憶體供應商近年紛紛擴大HBM與先進3D NAND的產能與研發投入，以因應模型規模持續成長的需求。

另一條則是AI基礎設施成熟後延伸至終端的邊緣裝置浪潮，催生智慧家庭、工控系統、車載裝置、物聯網節點等應用。這類邊緣端裝置並不追求極致效能，更重視低功耗、可靠度、成本結構與主流規格的長期供應能力。

林民正指出，邊緣AI晶片的迭代速度快，如果記憶體廠商以客製化方式逐一支援每款SoC，反而會陷入「規格追逐」與資源消耗的困境。因此，他強調市場勢必回歸主流、通用且成熟的規格，才能確保穩定供應以及系統端的成本與導入效率。

強化與創新：Flash在Edge AI時代再定位

隨著Edge AI規模快速擴大，Flash記憶體也被賦予全新定位。林民正指出，記憶體儘管無法如同邏輯晶片執行複雜運算，但在資料的儲存、搜尋與擷取效率方面發揮關鍵作用。因應邊緣端對資料尋址速度的要求，旺宏利用自家記憶體陣列架構開發「In-Memory Search」技術，直接在記憶體單元內部完成搜尋任務，減少資料往返DRAM或SoC的負載，讓低功耗系統能提升運算效率。

在安全架構方面，AIoT、監控、工控等裝置對啟動驗證、韌體保護與OTA更新安全等機制的要求日益嚴苛。旺宏推出ArmorFlash安全記憶體，使Flash不再只是存放程式碼，而是能直接整合於整套安全機制，強化裝置的整體可靠度。

此外，隨著製程技術跨入5nm、3nm，甚至2nm時代後，系統功耗預算被進一步壓縮，記憶體低電壓化成為必然趨勢。旺宏持續推進1.2V系列低電壓Flash，協助先進系統在維持最佳效能的前提下降低能耗。

在汽車電子與工控市場，可靠度與長期供應依舊是關鍵。車用NOR必須兼具快速啟動與高頻寬資料交換能力，工控設備則要求十年以上的連續供貨。旺宏長期累積的NOR、SLC NAND與eMMC產品線深耕高品質市場，並結合3D NAND製程經驗開發新一代3D NOR，預計以單顆晶片達到4Gb容量，進一步拓展高可靠度應用版圖。

林民正進一步指出，目前3D NOR Flash正處於積極開發階段，重點在於確保其速度與可靠度能媲美既有的2D NOR，從而在下一輪高容量嵌入式儲存需求成長中扮演不可或缺的重要角色。

旺宏NAND/eMMC記憶體產開發藍圖。
(來源：旺宏電子)

eMMC逆襲：供應斷層加速需求

在嵌入式儲存市場中，eMMC意外迎來一波逆勢回歸。多年來，由於手機產業全面轉向更高速的UFS，eMMC一度被視為逐步淡出的記憶體規格。然而，在工控、車載、智慧連網與網通等要求長生命週期與高穩定度的裝置中，eMMC以其高度整合、規格穩定、成熟供應鏈以及連續十年的供貨週期，反而成為最符合嵌入式應用的主流方案。

旺宏敏銳地掌握來自eMMC「供應斷層」的市場契機。隨著三星(Samsung)、美光(Micron)等多家大型NAND製造商相繼退出中低容量eMMC嵌入式應用市場，產能全面轉向更高容量的3D NAND產品，造成全球「具備晶圓製造能力」的中低容量eMMC供應商數量急遽縮減，目前市場上能同時掌握製程、晶圓與封測節奏的供應商「屈指可數」！

這種產能斷層迅速在市場端發酵。8GB、16GB、32GB等中低容量eMMC出現明顯供不應求，現貨市場價格短時間內翻倍仍難以滿足需求。林民正指出，32GB以下容量正是嵌入式應用的主流市場，這些產品長期以來被視為「需求穩定但成長不快」的市場，如今卻因供應斷層而轉變為戰略資源。許多系統端客戶已開始提前備貨、延長採購週期，需求外溢更進一步推升供應緊張。

多年來，旺宏持續深耕中低容量eMMC市場，除既有的2D 19nm製程4GB、8GB產品已投入市場，更進一步導入48層與96層3D NAND技術，推出規格更成熟、容量更完整的產品線，在效能提升的同時兼顧成本競爭力，提供8GB、16GB與32GB等嵌入式應用主流容量，同時維持市場最重視的可靠度、品質一致性與長期供貨能力(Longevity)。事實上，這也一直是旺宏所有Flash記憶體產品線的核心承諾。

更重要的是，在這一波供應斷層擴大的背景下，eMMC更率先取得先發位置，成為繼NOR與SLC NAND之後的下一個長期成長動能。eMMC產品線不僅延續旺宏對穩定供應的承諾，也為合作夥伴帶來高度「安心感」，讓旺宏得以在記憶體產業快速重組的浪潮中，再一次完成產品組合的華麗轉身。(eMMC 一直都有這產品. 是旺宏舊有產品.  但藉這波超級循環及排擠效應.  使eMMC 可重新成為旺宏的新寵. 3D NOR才是開創新局. 新的東西, 所以馬丁用”華麗轉身” )

面對這場Flash技術升級與市場重組，旺宏的核心競爭力正悄悄成為業界少數具備的關鍵資產──從Mb、Gb到GB的一站式(One-Stop)全系列Flash產品線供應能力。除了NOR、SLC NAND、3D NAND與eMMC的自主研發與量產能力，更跨越各種容量層級，從數Mb的微控制器啟動程式、Gb等級的邊緣AI韌體儲存，到GB等級的eMMC系列，旺宏都能提供穩定的高品質與長期供應方案。

旺宏打造涵蓋Mb至GB的完整記憶體產品線，為嵌入式客戶提供真正的一站式選擇。
(來源：旺宏電子)

展望2026：供應鏈緊縮、資源競爭效應擴大

2026年成為記憶體市場結構調整與上升週期(Upward Cycle)加速發酵的一年。林民正指出，DDR記憶體正處於世代轉換，市場對DDR4停產的預期已帶動部份客戶提前備貨。SLC NAND也因晶圓供給減少、材料與封測產能集中於AI領域而出現明顯緊縮。AI伺服器對NOR Flash的需求更急速攀升，單機櫃用量已從過去的3~5顆大幅擴增至30顆以上，造成嵌入式應用與AI伺服器競逐相同產能。而在中低容量eMMC領域，隨著大廠退出與資源競爭效應加劇，缺貨也呈現長期化趨勢。

林民正預期，這些變化將在2026年疊加成更強烈的上升週期。展望未來三到五年，他認為市場雖仍充滿不確定因素，但整體走勢偏向審慎樂觀。AI相關產品的資源優先權持續增加，全球供應鏈去中化趨勢仍在推動產能重組，這些變化也意味著車用晶片可能在下一輪資源競逐中面臨更大的排擠壓力。

在這場結構性轉折之中，旺宏正透過強化 Flash 與 eMMC 的產品佈局，以完整產品線、高品質、高可靠度、主流容量與長生命週期等核心優勢站穩定位，在產業變局中持續穩健前行，開創下一世代的成長格局。

觀看以下影片，進一步掌握旺宏電子市場行銷處處長林民正對當前全球記憶體市況的第一手觀察。

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