SK Hynix表示，新廠將與清州的其他設施共同運作

SK Hynix 是南韓領先的高頻寬記憶體供應商之一,計劃投資約 19 兆韓元(約 129 億美元),在忠清北道清州市建造晶片封裝廠。

根據該公司表示,新廠房將有助於滿足 AI 記憶體激增的需求,並支持政府的經濟平衡計劃。該公司解釋道:「隨著高頻寬記憶體(HBM)在 2025 年至 2030 年間的複合年增長率預計達 33%,提前因應 HBM 需求增長的重要性已顯著增加。我們決定進行這項新投資,以確保能夠穩定因應 AI 記憶體需求。」

該公司還提到,正在進行的區域投資討論已納入其決策考量,明確表示在決定將成長分散到大城市以外地區方面有其考量點。該專案預定於 4 月開工,預計於 2027 年底完工。

這項投資計劃是在 SK Hynix 宣布於 Venetian Expo 開設客戶展示攤位之後提出,該公司在拉斯維加斯舉行的 CES 2026 上展示了其下一代 AI 記憶體解決方案。

該公司表示:「在『創新 AI,永續未來』的主題下,我們計劃展示一系列為 AI 優化的下一代記憶體解決方案,並將與客戶密切合作,在 AI 時代創造新價值。」

這家半導體公司先前曾在 CES 上同時營運 SK 集團聯合展覽和客戶展示攤位。今年,該公司將專注於客戶展示攤位,以擴大與主要客戶的接觸點,討論潛在合作機會。

SK Hynix 表示新廠房將與清州的其他設施協同運作

SK Hynix 的新設施將在 HBM 和其他 AI 記憶體產品的封裝方面扮演核心角色。專案完成後,該公司將在利川、清州和西拉法葉擁有三個主要的先進封裝中心。

該公司的清州園區已設有數個主要廠區,包括 M11 和 M12 廠、M15 半導體製造廠,以及 P&T3 封裝測試設施。到目前為止,該公司預期預定於 2 月開始大量晶圓投片的 M15X 廠,與即將成立的 P&T7 封裝設施之間將產生強大的營運綜效。該公司解釋,在 P&T7 設施上線後,清州將支援 NAND 快閃記憶體、DRAM 和 HBM 的完整生產階段。

談到該專案時,SK Hynix 還指出:「透過對清州 P&T7 的投資,我們的目標是超越短期效率或收益,並在中長期內強化國家的產業基礎,協助建立首都圈和地方區域共同成長的結構。」

Samsung 也在擴大其 HBM 產能

SK Hynix 的競爭對手 Samsung 也計劃提升其 HBM 產能。該公司表示正準備提升其 HBM 產量,計劃在 2026 年將產能提高約 50%,以滿足其最大客戶 Nvidia 不斷增長的需求。

在去年 10 月的財報電話會議上,這家水原晶片製造商概述了其擴大生產的計劃,打算建造新的製造廠區。「我們正在內部審查擴大 HBM 生產的可能性,」Samsung Electronics 記憶體業務副總裁 Kim Jae-june 當時表示。

此外,在 11 月的高層會議後,這家南韓晶片製造商宣布計劃在平澤的 P5 設施投資 415 億美元,營運預定於 2028 年開始。這項計劃支出大約是 Samsung 在平澤先前工廠支出的兩倍

值得注意的是,Samsung 還提到該公司正獲得積極的行政支持,以加快 P5 建設進程。當時也有報導指出,該公司正在推進平澤集群 P6 的開發。

目前,KB Securities 預測該公司將在 2026 年第二季度之前,在 P4 將其 DRAM 產能每月增加約 60,000 片晶圓。更多報導指出,該公司在第六代 HBM(HBM4)的 Nvidia 內部測試中名列第一,超越 SK Hynix 和 Micron,可用於 Rubin 處理器。該晶片製造商的 HBM4 表現超出預期,每針腳達 11 Gbps,高於 Nvidia 的 10 Gbps 標準。

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