美光去年底退出消費級儲存業務，將 DRAM 與 NAND 快閃記憶體重心轉向企業市場，引發外界質疑美光是否採取消極擴產策略，故意不生產消費級產品？對此，美光副總裁克里斯托弗·摩爾澄清，公司正努力擴大產能，但因 DRAM 需求暴增，特別是資料中心領域，導致供應嚴重短缺。
根據 wccftech 報導，身為主要儲存晶片大廠之一的美光（Micron），在 AI 熱潮推動下，於去年 12 月做出重大策略調整：退出關鍵的消費級儲存業務，讓擁有 29 年歷史的英睿達（Crucial）品牌正式告別市場，並將 DRAM 與 NAND 快閃記憶體業務全面轉向高毛利、更聚焦的企業級市場。
這項舉動引發外界諸多解讀。不少觀點認為，美光此舉反映了儲存晶片廠商的普遍策略：消極擴產、透過控制產能來推高晶片價格，並將有限產能優先分配給高利潤產品，因而對當前嚴重的 DRAM 供應短缺負有部分責任。
對此，美光行動與客戶端業務部門副總裁克里斯托弗·摩爾最近回應表示，從美光的角度來看，消費者對廠商存在誤解。他指出，美光仍透過 OEM 等通路在客戶端及行動市場保持可觀的業務佔比，並強調公司正透過不同方式努力服務全球消費者。
摩爾解釋說，策略調整的主要驅動力在於市場對 DRAM 需求暴增，其中資料中心是成長最快的細分市場。美光必須幫助客戶達成目標，無法忽視產業最重要的成長主力。他表示：這不只是美光單獨面臨的問題，而是整個產業的挑戰。美光與同業都在盡力服務各細分市場，但供應量實在無法滿足需求，對此我們也感到很遺憾。
他進一步指出，短期內 DRAM 需求激增，使得美光幾乎沒有時間調整供應鏈。晶圓廠的建置本身就是一個漫長而複雜的過程，涉及建置週期、客戶認證、良率提升以及 AI 客戶的特殊需求等多重因素。據他估計，新建產能要產生實質性影響，可能要等到 2028 年。
此外，產能提升並非簡單增加設備就能達成。摩爾提到，目前短缺的核心問題之一在於記憶體模組密度的多樣化需求。目前裝置對 DRAM 容量的需求大幅提高，例如從 8GB 升至 16GB，這意味著每顆記憶體需要更多晶片，在相同產能下實際產出數量反而會下降，導致有效產能緊縮。
與此同時，不同廠商對 DRAM 規格的要求也各不相同，美光需要與客戶緊密合作，穩定需求規格，以達到產出最大化。短期內要提高供應最直接的方法，就是限制 DRAM 的容量配置組合。
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