追求高利潤！傳三星、SK海力士續減產NAND DRAM、HBM成主戰場

在AI應用高速擴張、記憶體需求全面升溫之際，卻傳出南韓兩大記憶體晶片巨頭三星電子與SK海力士，將持續對NAND快閃記憶體踩煞車。業界認為，若兩大龍頭同步逆勢減產，不僅將改變全球NAND供需結構，也可能推動伺服器、PC與行動裝置用NAND價格全面走揚，使長期獲利性偏低的NAND業務，迎來與DRAM接近的利潤率。

AI熱潮正改寫記憶體產能配置，由於HBM消耗的晶圓產能約為標準DRAM的三倍，三星與SK海力士的資本支出明顯向DRAM與HBM傾斜，排擠通用型記憶體與NAND的產能配置，連帶使DDR5等產品供應趨緊，形成「DRAM＋NAND」同步漲價的結構性利多；加上NAND逐步轉向更適合AI資料中心的四層單元 (QLC) 技術，在設備建置與良率爬坡過程中，亦帶來一定程度的自然減產。

根據《朝鮮日報》今（20）日引述市調機構Omdia數據，三星今年NAND晶圓投片量預估將由去年的約490萬片，下調至468萬片，甚至低於2024年虧損期間的減產水準，SK海力士則計畫把產量由約190萬片降至170萬片。韓廠高層指出，現階段並無急於擴大NAND產能的必要，供給收斂所釋放的獲利效益，預料將在今年攀上高點。由於兩家公司合計掌握全球NAND市場逾60%市佔，此舉勢必對全球供應面產生明顯影響，並強化價格上行力道。

在供給受控、需求共振的背景下，AI記憶體超級週期的紅利已直接反映在獲利與員工獎酬上。三星16日敲定績效獎金方案，半導體暨裝置解決方案事業部（DS）本月將發放相當於基本年薪47%的績效獎金，逼近50%上限，遠高於去年的14%，主要受惠於DRAM 與HBM業績大幅提升。SK海力士方面，據Business Korea報導，證券業推估其去年營業利益逼近45兆韓元，依勞資協議擬提撥10%作為績效獎金，人均可望領取逾1.35億韓元，創下歷史新高，並且公司將連續第二年實施「股東參與計畫」，進一步強化留才誘因

為因應全球供應吃緊，SK海力士已啟動擴產布局，包括清州M15X新廠今年2月起將加入量產、龍仁新廠無塵室提前於2027年2月啟用，並再砸19兆韓元興建先進封裝廠；SK海力士美國法人長柳成洙日前透露，愈來愈多客戶希望簽訂長期供應協議，以鎖定長期供貨。摩根大通最新報告亦看好記憶體上行循環，將SK海力士2026年底目標價從80萬韓元上調至100萬韓元，維持「增持」評級，並預期未來三至六個月內，產品定價動能仍將持續推升獲利預期。